教师简介
肖清泉，大数据与信息工程学院教授、博士、博士生导师、硕士生导师、电子科学系主任。塞尔维亚国家科学基金评审专家、全国仿真创新应用大赛组委会专家委员会委员、全国仿真创新应用大赛贵州省组委会顾问、贵州省大数据专家库评审专家、贵州省高新技术认定企业评审专家、中国电子学会高级会员、IEEE会员、英国格林威治大学访问学者、民进贵州大学委员会副主委兼秘书长、贵州大学电子信息专业学位学科类学位评定委员会委员。
指导电子科学与技术（物理电子学、微电子学与固体电子学，学术型）、新一代电子信息技术（专业型）、集成电路工程（专业型）研究生，主要从事光电材料与光电器件的设计与模拟、光电器件的制备、大数据分析与应用等方面的研究，主持或参与完成国家、省部级项目20多项。发表第一作者或通讯作者论文50多篇，其中 SCI、El收录30多篇。授权发明专利8项、实用新型专利9项。获得贵州省科技进步奖三等奖、贵州省首届研究生教学成果奖二等奖、第四届贵州省自然科学优秀学术论文三等奖。
培养的研究生中，多人次获得国家奖学金、华大九天专业奖学金、贵州省优秀毕业生等奖励和荣誉。
联系邮箱：qqxiaohn@126.com
主要经历
学习简历：
2015.09-2016.09 英国格林威治大学计算力学与可靠性研究中心，访问学者；
2007.09-2011.12 贵州大学微电子学与固体电子学专业，博士；
2004.09-2007.06 贵州大学微电子学与固体电子学专业，硕士；
1990.09-1993.06 邵阳师范专科学校（今邵阳学院）物理学教育，大学专科；
工作简历：
2007.09-至今 贵州大学电子科学与技术系，讲师、副教授、教授；
1993.07-2004.08 湖南省新邵县教育局，高中物理教学，中级职称；
所获荣誉
[1]第四届贵州省自然科学优秀学术论文三等奖（排名第一，2012.12）
[2]贵州省科技进步三等奖（排名第三，2012.12）；
[3]贵州省首届研究生教学成果奖二等奖(排名第四，2015.09)
主要贡献
部分代表性论文：
[1]Jiangxiang Wang, Baohui Zhang, Jingting Luo, Chen Fu, Ran Tao, Lei Yang, Honglang Li, Qingquan Xiao, Quan Xie. High performance CQD photodetector via mixed halogen precursor passivation engineering[J]. Optik, 2022, 266: 169597. （SCI 3区、EI）通讯作者
[2]Lyu Lin, Xie Quan, Yang Yinye, Wang Rongrong, Cen Weifu, Luo Shengyun, Yang Wensheng, Gao Yue, Xiao Qingquan, Zou Ping, Yang Yang. A novel CeO2 Hollow-Shell sensor constructed for high sensitivity of acetone gas detection[J]. Applied Surface Science, 2022,571: 151337 （SCI 2区、EI）
[3]Anna He, Qingquan Xiao, Mingzhe Qin, et al.. Study on the Electronic Structure and Optical Properties of Nd‑Incorporated Mg2Si by First Principles[J]. Journal Of Electronic Materials, 2021,50: 4083–4089 （SCI 4区、EI）通讯作者
[4]Shi Jiaona, Kang Qi, Mi Yan, Xiao Qingquan. Nitrogen-doped Hollow Porous Carbon Nanotubes for High-Sulfur Loading Li-S Batteries[J]. Electrochimica Acta, 2019,324: 134849 （SCI 2区、EI）通讯作者[5]Wang Kun, Xiao Qingquan, Xie Quan, et al. First-Principles Study of Electronic Structure and Optical Properties of La-Doped AlN[J]. Journal of Electronic Materials, 2019,48(8): 5135-5142 （SCI 4区、EI）通讯作者
[6]Xiao Qinquan, Fang Di, Liu Xiaojun, et al. Heat treatment temperature effects on the formation of Mg2Si films deposited by electron beam evaporation[J]. Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2017,28(1): 702-706 (SCI 3区)
[7]Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al. Solid-state synthesis of single phase Mg2Si films on Si substrates deposited at various sputtering powers[J]. physica status solidi (c), 2013,10(12): 1854-1856 (EI)
[8]Xiao Qingquan, Xie Quan, Shen Xiangqian, et al. Effects of magnesium film thickness and annealing temperature on formation of Mg2Si films on silicon (111) substrate deposited by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science, 2011,257(17): 7800-7804 （SCI 2区、EI）
[9]Xiao Qingquan, Xie Quan, Chen Qian, et al. Annealing effects on the formation of semiconducting Mg2Si film using magnetron sputtering deposition[J]. Journal of Semiconductors, 2011,32(8): 082002 （EI）
[10]Liao Yang-Fang, Xie Quan, Xiao Qing-Quan, et al. Photoluminescence of Mg2Si films fabricated by magnetron sputtering[J]. Applied Surface Science, 2017,403: 302-307 （SCI 2区、EI）
[11]王傲霜, 肖清泉, 陈豪, 等. Mg2Si/Si雪崩光电二极管的设计与模拟[J]. 物理学报, 2021,70(10): 108501(nine pages) （SCI 3区、EI）通讯作者
[12]高珊, 肖清泉, 何安娜. 基于深度学习的司法判罚研究[J]. 电子设计工程, 2022,30(17): 23-27 通讯作者
[13]叶建峰, 秦铭哲, 肖清泉, 等. Ti、V、Co、Ni掺杂二维CrSi2材料的电学、磁学及光学性质的第一性原理研究[J]. 物理学报, 2021,22(70): 227301 （SCI 3区、EI）通讯作者
[14]王傲霜, 肖清泉, 陈豪, 等. GaN/Si单异质结太阳电池的模拟[J]. 光学学报, 2020,40(24): 2416001 （EI）通讯作者
[15]陈豪, 肖清泉, 谢泉, 等. 近红外Mg2Si/Si异质结光电二极管的结构设计与仿真[J]. 材料导报, 2019,33(10): 3358-3362 （EI）通讯作者
[16]袁正兵, 肖清泉, 杨文献, 等. In0.53Ga0.47As/InP 雪崩光电二极管响应及电学特性[J]. 光子学报, 2018,47(3): 304002 （EI）通讯作者
[17]肖清泉, 房迪, 赵珂杰, 等. 电子束蒸发方法研究Mg2Si的薄膜及其光学带隙[J]. 红外与毫米波学报, 2017,36(2): 265-270 （SCI 4区、EI）
[18]房迪, 肖清泉, 廖杨芳,等. 钠钙玻璃上Mg2Si薄膜的制备及其电学性质[J]. 材料导报, 2017,31(2): 9-13 （EI）通讯作者
[19]肖清泉, 谢泉, 沈向前, 等. Si衬底上低真空热处理制备单一相Mg2Si半导体薄膜[J]. 功能材料, 2013,44(4): 585-589 （EI）
主持的部分科研项目：
[1]贵州大学智能制造产教融合创新平台及研究生联合培养基地建设项目，2020-520000-83-01-324061，国家发改委项目，2021.1-2023.1，10000万，第二主持。
[2]与贵州振华天通设备有限公司合作项目，基于位置数据的呈现与行为分析算法研究，HT-20200701-001，2020/12-2023/06，5万，横向项目，主持
[3]贵州省留学回国人员科技活动择优资助项目，黔人项目资助合同（2018）09号，基于Mg2Si薄膜的红外传感器的结构设计与计算机模拟，2018/01-2019/12，5万，主持；
[4]绝缘衬底上单一相Mg2Si半导体薄膜的掺杂及其光电性质研究，贵州省自然科学基金项目，合同号：黔科合J字[2014]2052号， 2014.8-2017.8，6万，主持；
[5]Mg2Si半导体薄膜生长过程的计算机模拟与实验研究,贵州省国际科技合作计划项目，合同号：黔科合外G字[2013]7003, 2013.7- 2016.6，10万，主持；
[6]基于Mg2Si的LED光电子器件研究, 贵阳市工业振兴科技计划项目，合同号:筑科合同[2012101] 2-16，2012.1-2015.12, 8万，主持；
[7]环境半导体材料Mg2Si的磁控溅射制备及其性质研究，贵州省自然科学基金项目，合同号：黔科合J字[2009]2059号，2009.6-2012.5，4万，主持；
授权的国家专利：
[1]谢泉，肖清泉，张晋敏，陈茜，余志强，赵珂杰. 环境友好半导体材料Mg2Si薄膜的磁控溅射制备工艺. 发明专利号，ZL 201010147304.2. 授权日：2012.07.04
[2]谢泉，肖清泉，余宏，陈茜，张晋敏. 一种单一相Mg2Si半导体薄膜的制备工艺. 发明专利号，ZL 201210455881.7. 授权日：2015.03.11.
[3]谢泉，廖杨芳，杨云良，肖清泉，张宝晖，梁枫，王善兰，吴宏仙，张晋敏，陈茜，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予，一种发光二极管及其制备方法，发明专利，ZL 201510422501.3，授权日: 2018.01.30
[4]张晋敏、潘王衡、谢泉、肖清泉、王勤、冯磊、谢杰，一种在原料氧化情况下制备单一相高锰硅薄膜的工艺方法，发明专利，ZL 202110390892.0，授权日：2022.07.05
[5]谢泉，张晋敏，肖清泉，梁艳，曾武贤，王衍，马道京. 制备Cr掺杂b-FeSi2薄膜的工艺方法. 发明专利号，ZL 201010148151.3. 授权日：2012.04.25；
[6]谢泉，鞠云，张晋敏，肖清泉，一种半导体材料SiC薄膜的制备工艺，发明专利，ZL 201410273829.9，授权日:2017.04.19
[7]谢泉，谢晶，刘栋，高赐国，张晋敏，肖清泉，陈茜，廖杨芳，范梦慧，黄晋，电阻式热蒸发制备铁磁性材料Fe3Si薄膜的工艺，发明专利，ZL 201510905584.1，授权日: 2018.02.23
[8]谢泉，谢晶，刘栋，高赐国，张晋敏，肖清泉，陈茜，廖杨芳，范梦慧，黄晋，一种磁性Fe3Si颗粒膜的制备方法，发明专利，ZL 201510905593.0，授权日: 2019.01.15
[9]谢泉，廖杨芳，张宝晖，杨云良，肖清泉，梁枫，张晋敏，陈茜，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予. 一种红外探测器. 实用新型专利，ZL 201520014583.3. 授权日：2015.05.13.
[10]谢泉，廖杨芳，杨云良，肖清泉，张宝晖，梁枫，王善兰，吴宏仙，张晋敏，陈茜，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予. 一种发光二极管. 实用新型专利，ZL 201520521746.7, 授权日：2015.11.04
[11]谢泉，陈侃，肖淸泉，徐志勇，张忠民，郭笑天，庞雪，邵鹏，陈茜，高廷红. 杀虫灯. 外观设计专利，ZL 201530042457.1，授权日：2015.09.30
[12]谢泉，陈侃，肖淸泉，徐志勇，张忠民，郭笑天，庞雪，邵鹏，陈茜，高廷红，一种杀虫灯. 实用新型专利，ZL 201520098848.2，授权日：2015.10.07
[13]谢泉，廖杨芳，吴宏仙，房迪，王善兰，刘小军，梁枫，肖清泉，张晋敏，陈茜，马瑞，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予. 一种智能车位锁. 实用新型专利，ZL 201521119854.8，授权日：2016.05.25
[14]谢泉，吴宏仙，张晋敏，廖杨芳，房迪，王善兰，刘小军，梁枫，肖清泉，陈茜，一种新型热蒸发镀膜器，实用新型专利，ZL 201520991442.7，授权日: 2016.04.20
[15]谢泉，廖杨芳，王善兰，房迪，吴宏仙，刘小军，梁枫，肖清泉，张晋敏，陈茜，马瑞，谢晶，范梦慧，黄晋，章竞予;一种便携式便后清洗器，实用新型专利，ZL 201521119601.0，授权日: 2016.08.17
[16]王坤，谢泉，肖清泉，张晋敏，马家君，王立，贺腾，施建磊，王新悦，一种从研磨铁料中深度提取碳化硅微粉的装置，实用新型，ZL 201822200180.4，授权日:2019.08.23
[17]王坤，谢泉，肖清泉，张晋敏，马家君，廖杨芳，王立，贺腾，施建磊，王新悦，一种基于硅化镁薄膜的传感器，实用新型，ZL 201822036 046.5，授权日:2019.06.07
[18]王坤，肖清泉，张晋敏，王立，贺腾，王媛，一种基于Mg2Si半导体材料的存储器，ZL 201920376582.1，授权日: 2019.10.08